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...导体装置包含 n 型源极/漏极磊晶层、p 型源极/漏极磊晶层以及介电层金融界 2024 年 7 月 12 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“,授权公告号 CN221327722U,申请日期为 2023 年 11 月。专利摘要显示,一种半导体装置包含 n 型源极/漏极磊晶层、p 型源极/漏极磊晶层以及介电层。介电层在该 n 型...

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时创能源申请背面P-I-N结构制备方法及高效晶硅电池制备方法专利,...金融界2024年7月5日消息,天眼查知识产权信息显示,常州时创能源股份有限公司申请一项名为“背面P-I-N结构制备方法及高效晶硅电池制备方法”“,公开号CN202410478855.9,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及背面P‑I‑N结构制备方法...

【傀儡术师】难道这是天才!作者:我想要杯杯如果26个英文字母 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 分别等於 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 那么 ~ Knowledge(知识) K + N + O +W + L + E + D +G +E 11 + 14 + 15 + 23 + 12 + 5 + 4 +7 +5 = 96% Workhard (努...